美国芯片巨头英特尔（Intel）与日本科技投资巨头软银（SoftBank）达成合作，将共同开发替代HBM的堆叠式DRAM内存方案。据“日经亚洲”报道，两家行业巨头已合资成立Saimemory公司，计划基于英特尔技术及东京大学等日本学术机构的专利开发原型产品。该公司的目标是在2027年前完成原型验证与量产可行性评估，最终于2030年前实现商业化落地。
当前大多数AI处理器都采用高带宽内存（HBM）芯片，这类芯片非常适合临时存储AI GPU处理的海量数据。但其制造工艺复杂、成本较高，且存在发热量大、功耗偏高等问题。双方合作旨在通过堆叠DRAM芯片并优化布线设计来解决这些痛点。测试数据显示，这种堆叠式DRAM的功耗可比同级别HBM芯片降低50%。
软银表示若研发成功，希望获得该芯片的优先供应权。目前全球仅有三星（Samsung）、SK海力士（SK hynix）和美光（Micron）能生产最新款HBM芯片。随着AI芯片需求激增，HBM供应持续紧张，Saimemory计划凭借替代方案抢占日本数据中心市场。这也标志着日本时隔二十余年重振内存芯片霸主地位的野心——上世纪80年代日本企业曾占据全球70%的内存市场份额，但随着韩国和中国台湾厂商崛起，日系存储芯片厂商逐渐式微。
这并非半导体企业首次尝试3D堆叠DRAM技术。三星早在去年就公布了3D堆叠DRAM计划，另一家公司NEO Semiconductor也在开发3D X-DRAM技术。不过这些方案主要聚焦提升单芯片容量（目标达到512GB），而Saimemory则专注于降低功耗——这正是数据中心迫切需要的解决方案，特别是在AI能耗连年攀升的背景下。
