台积电（TSMC）在全球芯片制造市场的份额持续攀升，其资本支出也同步激增——自2015年以来已增长五倍。该公司计划在2025年投入380亿至420亿美元（约合2762亿至3053亿元人民币）进行产能扩张，目标是在该年度建成八座晶圆厂和一座先进封装厂。台积电资深副总裁兼副共同运营长侯永清博士在最近的2025北美技术研讨会上透露：“2017至2020年间，我们年均建设三座晶圆厂。2021至2024年提升至年均五座。而今年我们将进一步增至九座新厂，以支持强劲的业务增长需求。这九座设施中包括八座晶圆厂和一座先进封装厂。”
根据详细规划，台积电九座“新”设施包括：位于台湾嘉义的AP71先进封装厂（2024年9月已动工）；台湾新竹的Fab 20（支持16纳米及N2工艺，2025年下半年设备进驻/试产）；美国亚利桑那州的Fab 21（N3工艺，设备进驻中）和Fab 21（16纳米及N2工艺，2025年4月动工）；台湾高雄的Fab 22（16纳米及N2工艺，2025年下半年设备进驻/试产）；日本熊本的Fab 23-JASM（10纳米以下工艺，2025年1月动工）；德国德累斯顿的Fab 24-ESMC（N12/N16/N22/N28工艺，2024年8月动工）；以及计划2025年底在台湾台中建设的Fab 25（预计支持A14等更先进制程，2028年投产）。
台积电的产能扩张计划规模空前。2025年内，其位于台湾的Fab 20和Fab 22将开始量产采用N2（2纳米级）工艺的芯片。这些产线自2026年末起还将用于生产基于N2P和A16（1.6纳米级）工艺的芯片。目前亚利桑那州Fab 21一期正在提升产能，二期N3产线已完成建设即将进驻设备，而支持A16/N2工艺的三期工程已于2025年4月动工。
需要说明的是，台积电对新厂的计算方式较为特殊——将所有在本年度处于规划、建设或设备进驻阶段的设施均计入“新建”范畴。即便采用此标准，实际可确认的新建晶圆厂为七座，加上一座先进封装厂。
2025年台积电同时在建或设备进驻的八至九座新厂，创下该公司历史最高纪录。其年度资本支出预计将达380-420亿美元（约合2762亿至3053亿元人民币），较2024年的292亿美元（约合2121亿元人民币）显著增长。如此巨额投资既源于扩建需求，也反映出建厂成本攀升：AI处理器物理尺寸增大导致客户需增加晶圆订单；极紫外光刻（EUV）等先进工艺的广泛应用推高设备投入——目前每台ASML低数值孔径EUV系统售价约17.09亿元人民币（2.35亿美元），而未来采用的高数值孔径EUV设备单价预计将达27.63亿元人民币（3.8亿美元）。
尽管台积电高达420亿美元的激进投资计划有其合理性，但所有项目能否如期完成，将成为影响这家芯片巨头持续成功的关键因素。
