台积电（TSMC）于周三正式启动其位于亚利桑那州凤凰城附近的第三座晶圆厂——Fab 21第三期工程的建设。该厂区第三模块预计在2028至2030年间完工，届时将具备采用台积电N2、N2P（2纳米级）及A16（1.6纳米级）制程技术生产芯片的能力。
这一进展恰逢台积电面临日益增长的政治压力。上周台湾地区立法机构通过法案，规定台积电不得将最先进制程技术输出至海外工厂，且所有境外投资项目须经台湾地区政府批准。根据法案，到2028年底台积电在台湾本土的A14（1.4纳米级）制程投产后，其美国工厂才可合法启用N2P、A16及衍生节点进行生产。
Fab 21第三期工程是台积电3月宣布的1650亿美元美国投资计划的重要组成部分。根据规划，该厂区第三、第四模块将采用2纳米级制程技术（含N2/N2P/N2X/A16），而第五、第六模块将应用更先进的A14及衍生技术。尽管台积电对该基地投入巨资——最终将建成六个晶圆厂模块、两座先进封装设施及一个研发中心，并计划将其打造为主要生产基地——但法律限制可能阻碍其向美国转移最尖端制程技术，这将影响其盈利能力，因其领先制程通常收取更高溢价。
美国商务部长霍华德·卢特尼克（Howard Lutnick）在动工周视察了这个被誉为“美国史上最大外资项目”的基地。卢特尼克暗示企业需深化在美布局才能获得《芯片与科学法案》的联邦补贴，未达标企业可能面临资金扣减。不过根据法律规定，美国政府在2026年底前仍需向台积电、英特尔（Intel）、格芯（GlobalFoundries）、德州仪器（Texas Instruments）、三星（Samsung）等企业提供芯片法案资助。
