据韩媒《韩国经济新闻》报道，三星电子正携手合作伙伴开展HBM4工艺的采样测试，这家韩国半导体巨头试图通过新一代高带宽内存技术重振存储业务。目前三星已与英伟达(NVIDIA)、博通(Broadcom)和谷歌(Google)等科技企业展开合作，计划在2026年上半年实现产品交付。
在激烈的HBM4市场竞争中，三星面临着来自SK海力士(SK hynix)和美光(Micron)的强力挑战。这两家竞争对手不仅已获得英伟达认证，更将量产时间大幅提前——SK海力士将原定量产计划提前六个月至下季度启动，美光则预计在今年底开始交付产品。
值得注意的是，三星此次采用独特的逻辑芯片与存储芯片堆叠方案，结合其晶圆代工部门的4纳米制程工艺与10纳米第六代1c DRAM技术。虽然理论性能可与竞品比肩，但考虑到三星前代HBM3产品曾因未通过英伟达认证导致谷歌取消订单的历史教训，业界对其实际表现仍持审慎态度。
行业分析师指出，三星将2026年上半年设为交付时间的策略存在风险。当前存储芯片市场迭代速度加快，当三星正式量产时，竞争对手可能已推出更先进的产品架构。这家曾主导全球存储市场的企业，正面临技术追赶与市场信任重建的双重考验。
