据首尔中央地方检察厅消息，一名前SK海力士（SK Hynix）员工因涉嫌向华为旗下海思半导体（HiSilicon）非法转移先进芯片封装技术而正式被起诉。涉案技术涉及3D NAND闪存、高带宽存储器（HBM）、多芯片组封装以及CMOS图像传感器。此案存在一个耐人寻味的细节：华为海思并未直接索要特定技术。
检方指控该嫌疑人在华为任职期间窃取了与CMOS图像传感器（CIS）及混合键合芯片封装技术相关的知识产权，这些技术应用于3D NAND闪存、HBM3/HBM3E/HBM4存储器以及先进的多芯片堆叠封装。SK海力士声明称，此次泄露的键合技术信息仅涉及通用晶圆对晶圆工艺，不包括当前正在研发或用于商业产品的特定混合键合技术。
对于华为（无法获得台积电和SK海力士的先进制程与封装技术）和中芯国际（无法获取阿斯麦最新光刻设备）等中国企业而言，从SK海力士获取晶圆键合技术可能被视为重大突破。SK海力士相关技术源自其对Xperi公司的授权，而该技术在半导体领域的应用正日趋重要。
涉案人员为韩国公民金某，曾就职于SK海力士中国子公司。调查显示，其2022年应聘海思半导体期间违规获取并滥用前雇主内部资料。据称金某违反公司政策打印并拍摄了机密文件，调查人员发现其拍摄了超过1.1万张涉密内容照片，并通过去除品牌标识和保密标记等手段隐匿信息来源。证据表明，金某向中国两家企业提交这些材料作为求职资质证明，检方认定其蓄意利用非法获取的信息谋取职位。
报道指出，中国特别是华为开发的诸多技术源头可追溯至跨国公司。但值得玩味的是，华为虽以高薪挖角国际企业高端人才著称，但本案中并未明确要求嫌疑人提供SK海力士商业机密，而是在招聘过程中被动接受了这些信息。
此案引发韩国高度关注，反映了在中国全力实现半导体自主化的背景下，韩国对尖端技术外流的深切忧虑。案件凸显劳动力流动带来的风险加剧，以及全球范围内加强高价值产业知识产权管控的趋势。2023年水原地方法院曾判处一名携带4000份机密文件跳槽至华为的前员工18个月监禁并处罚金。
