据韩媒ETNews报道，苹果正认真考虑在2027年款iPhone（包括二十周年纪念机型）中引入移动高带宽内存（HBM）技术。这项重大革新将通过堆叠DRAM层提升信号传输速度，使处理器能更快获取存储数据——当前三星电子与SK海力士正分别以“垂直铜柱堆叠（VCS）”和“垂直布线扇出（VFO）”技术开发相关模块，预计2026年后实现量产。
知情人士透露，苹果或将重新设计应用处理器架构以优化AI运算性能，HBM极可能同时与GPU直连，这种统一内存架构与现有Apple Silicon Mac方案类似。供应链消息显示，苹果去年12月已与三星合作研发大容量DRAM封装技术，通过增加连接器数量来提升内存带宽。
二十周年纪念版iPhone还将带来多项显性升级：采用16纳米FinFET工艺的OLED显示驱动芯片可显著降低功耗；四边曲面屏设计有望消除边框；屏下摄像头技术或选用透明聚酰亚胺基板配合特殊镜头来平衡透光率与成像质量。三星或为iPhone 18显示屏开发新型M16材料，并为纪念机型定制专属物料。
电池技术方面，传闻称负极材料将完全摒弃石墨改用纯硅，此举可同步提升性能与续航。考虑到AI运算对功耗的高需求，这些能效改进将直接增强设备的智能表现。
