作为庆祝旗舰系列问世二十周年的特别之作，这款周年纪念版iPhone将突破现有技术边界。最新消息显示，2027年推出的二十周年纪念机型将搭载革命性AI内存技术，在性能表现、能耗控制和紧凑设计方面实现全面升级。
韩国媒体ETNews透露，该机型将首次采用移动版高带宽内存（HBM）技术。这种动态随机存取存储器通过硅通孔（TSVs）技术实现内存芯片的垂直堆叠，其创新架构可显著提升信号传输速率，性能表现将远超传统设计方案。值得注意的是，这项原应用于AI服务器领域的技术因其出色的AI运算支持能力而得名。
在移动设备应用场景中，HBM技术展现出两大核心优势：一方面可实现超低功耗下的高数据吞吐，另一方面能使内存芯片体积大幅缩减——这对于追求轻薄化的未来iPhone机型尤为重要。随着苹果智能（Apple Intelligence）系统重构了iPhone硬件架构，移动版HBM与GPU单元的协同工作将显著提升设备端AI算力。技术成熟后，甚至可支持大语言模型在本地流畅运行，且不会影响电池续航或增加延迟。
目前三星电子（Samsung Electronics）和SK海力士（SK Hynix）两大内存供应商正为苹果研发专属解决方案。三星采用垂直铜柱堆叠（VCS）封装工艺，SK海力士则研发垂直布线扇出（VFO）技术，两家企业均计划于明年启动量产。需要提醒的是，现阶段该技术成本居高不下，这可能导致2027年iPhone机型迎来显著涨价。关于定价策略的更多细节，我们将持续关注后续进展。
