NEO半导体公司近日公布了两项突破性存储技术——1T1C（单晶体管单电容）与3T0C（三晶体管零电容）设计方案。这两种基于3D X-DRAM架构的创新存储单元，预计在2026年推出测试芯片，其容量将达到传统DRAM模块的十倍水平。
通过采用类似3D NAND闪存的堆叠式结构，配合铟镓锌氧化物（IGZO）材料技术，新型存储单元可实现单个模块512Gb（64GB）的惊人容量。测试数据显示其读写速度达10纳秒，数据保持时间超过9分钟，这两项关键性能指标均处于当前DRAM技术领域的领先地位。特别值得注意的是，3T0C设计通过完全移除传统DRAM必需的电容结构，在简化生产工艺的同时实现了更高密度。
“1T1C与3T0C版本3D X-DRAM的诞生，正在突破存储技术的物理极限。”NEO首席执行官Andy Hsu（徐安迪）在技术发布会上强调，“这种结构创新不仅兼容现有3D NAND生产线，更能让存储密度实现指数级增长。”相比该公司此前针对AI计算优化的3D X-AI技术，此次发布的方案更具颠覆性潜力——其单位面积容量是当前顶级DRAM产品的十倍，而能耗水平却大幅降低。
在即将召开的IEEE国际内存研讨会（IMW）上，NEO计划披露更多技术细节。存储行业观察家指出，虽然传统巨头仍在持续提升标准DRAM容量，但3D X-DRAM展现出的技术优势不容小觑。面对铁电存储器（FeRAM）等新兴技术的竞争，NEO能否凭借其创新的堆叠架构改写行业格局，将成为未来三年存储市场最值得关注的焦点。
