铠侠（Kioxia）已经推出两代XL-Flash存储级内存（SCM），这种高速NAND闪存技术最初旨在通过突破性的延迟、性能和耐用性，与傲腾（Optane）SSD技术展开竞争。但到目前为止，只有少数厂商发布了基于这种闪存的固态硬盘。这一现状可能即将改变——在台北国际电脑展上，固态硬盘控制器制造商英韧科技（InnoGrit）展示了基于XL-Flash内存的PCIe 5.0参考设计固态硬盘，其随机读取性能可达惊人的350万IOPS，预示着第三方厂商可能推出基于铠侠SCM的产品。
英韧科技的N3X固态硬盘采用Tacoma IG5669控制器与铠侠第二代XL-Flash内存（运行于SLC模式），专为需要极致可靠性的低延迟企业级负载设计。这款符合NVMe 2.0标准的控制器支持PCIe 5.0 x4接口，可实现14GB/s顺序读取、12GB/s顺序写入的持续性能，以及350万随机读取IOPS和70万随机写入IOPS。更关键的是，其读取延迟低于13微秒（相比3D TLC NAND的50-100微秒大幅降低），写入延迟仅为4微秒（相比3D TLC NAND的200-400微秒实现跃升），特别适用于缓存加速、AI推理、内存计算和实时分析等场景。
这款N3X固态硬盘提供400GB至3.2TB容量选项（采用32-256颗第二代XL-Flash芯片的SLC模式配置），成为已停产的英特尔傲腾解决方案的理想替代品。其耐用性指标尤为突出：5年内每日全盘写入50次（50DWPD），远超企业级NAND固态硬盘标准，非常适合缓存、推理和交易型工作负载等写入密集型应用。英韧科技表示合作伙伴可基于该方案开发U.2或E3.S规格的固态硬盘，也能以扩展卡形式满足工作站乃至高端台式机需求。
铠侠XL-Flash作为高性能NAND技术，旨在弥合DRAM与传统闪存的延迟鸿沟，为需要类DRAM响应速度的持久内存应用提供解决方案。第二代产品通过MLC架构将单颗芯片容量从128Gb提升至256Gb，但英韧科技认为SLC模式能更好满足用户对极致性能的需求。虽然最初定位为傲腾内存的竞品，目前XL-Flash正逐步填补傲腾退市后的市场空白。
此前铠侠一直是XL-Flash固态硬盘的主要供应商，尽管忆恒创源（Memblaze）等厂商也推出过基于昂贵Microsemi Flashtec NVMe2016控制器的同类产品。英韧科技作为更具普惠性的控制器制造商，有望推动N3X方案普及，但考虑到XL-Flash仍属细分市场技术，其大规模应用仍有局限。
