台积电（TSMC）在阿姆斯特丹举行的欧洲技术研讨会上重申了其长期坚持的立场：在包括A16（1.6纳米级）和A14（1.4纳米级）在内的下一代制程技术中，该公司无需采用最高端的High-NA EUV光刻设备。台积电业务开发及全球销售资深副总经理张晓强（Kevin Zhang）表示：“外界似乎总在关注台积电何时会采用High-NA技术，但我们的答案很简单——只有当这项技术能带来显著且可量化的优势时才会考虑。就A14制程而言，即便不使用High-NA技术，我们此前提到的性能提升已非常可观。因此，我们的技术团队将持续探索延长现有EUV设备寿命的方法，同时获取制程微缩的效益。”
台积电A14制程采用了第二代纳米片环栅晶体管架构与新型标准单元设计。据官方数据，该制程在相同功耗和复杂度下可实现15%的性能提升，或在相同频率下降低25%-30%的功耗。晶体管密度方面，相较于N2制程，A14在逻辑/SRAM/模拟混合配置中实现20%的提升，纯逻辑设计更可达到23%的增幅。
值得注意的是，这些标志着“完整制程优势”的性能、功耗与密度提升，均无需依赖下一代High-NA EUV设备即可实现稳定良率与预期特性。其中A16本质上是搭载超效能背面供电网络（SPR）的N2P改良版，而A14作为2028年量产的全新节点，其无需High-NA技术的特性尤为引人注目。
当被问及A14是否依赖多重曝光技术时，张晓强虽未透露细节，但强调技术团队已成功开发出解决方案——在1.4纳米节点上，无需使用分辨率达8纳米的High-NA EUV设备（普通Low-NA EUV分辨率为13.5纳米）即可实现芯片制造。“这是技术团队的重大创新，”张晓强表示，“只要持续找到替代方案，我们显然不必急于采用High-NA技术。当然最终仍会适时引入，关键是选择最佳切入时机以实现最大效益与投资回报。”
值得关注的是，台积电计划在2029年推出搭载SPR供电网络的A14改进版，届时似乎仍无需High-NA设备。这与英特尔（Intel）形成鲜明对比——后者计划在2027-2028年间通过14A制程采用新一代EUV光刻机以减少曝光次数（即多重曝光）和工艺步骤。由此可见，台积电至少在2030年前都不会将High-NA EUV技术投入量产，这一时间节点可能还会进一步延后。
