台积电（TSMC）向尖端光刻技术转型需要配备极紫外光刻机（EUV），以实现2纳米晶圆的高效量产并最大限度地减少不良批次。今年初该公司已开始接受2纳米制程订单，联发科（MediaTek）宣布将于2025年第四季度启动首款2纳米芯片的流片。但若想突破这一极限进入亚2纳米领域，则需依赖阿斯麦（ASML）的高数值孔径（High-NA）设备来完成复杂制程。不过最新报告显示，由于设备价格过高，台积电尚未决定是否采购。
目前台积电使用的顶级EUV设备价格还不到阿斯麦High-NA机型的一半，这引发了成本顾虑。2纳米制程预计将在未来几年趋于成熟，而台积电已将目光投向可实现功耗降低30%的1.4纳米节点（代号A14或14埃），计划2028年实现量产。要实现该制程的稳定生产，必须采用阿斯麦High-NA这类尖端设备。但报道称，台积电目前仍在评估技术过渡的必要性。
台积电资深副总裁Kevin Zhang就先进制程发展表态时指出，斥资29.08亿元人民币（4亿美元）采购高端设备并非必然选择。他认为现有EUV设备通过优化仍可满足当前制程需求，过高的采购价格反而可能成为障碍。在现有设备完全无法满足更先进制程需求前，台积电可能暂缓采购计划。阿斯麦的High-NA设备已向三星（Samsung）等客户交付五台，后者据传已组建专门团队研发1纳米制程，目标2029年投产。
台积电最终会否加入High-NA设备采购行列尚未可知，但鉴于其长期保持的技术领先优势，当前的审慎决策或许正是其成功关键所在。
