据业内消息，中国领先的DRAM制造商长鑫存储（CXMT）计划于明年年中逐步淘汰面向服务器和PC的DDR4内存产品线。台媒《电子时报》披露，这一战略调整旨在响应中国共产党关于推动国家在人工智能和云基础设施领域实现全球领先的号召。据悉，该公司正同步加速推进HBM高带宽内存技术研发，其HBM3芯片有望在今年底前完成验证。
这一决策令业界始料未及——长鑫存储刚于2024年末实现DDR4内存的量产。凭借产能快速爬坡和极具竞争力的定价策略，该公司已迫使美光（Micron）、三星（Samsung）和海力士（SK hynix）等国际巨头宣布将在2025年底前停产DDR3/DDR4芯片。
在中国政府将人工智能作为科技竞争核心的战略背景下，分析师预计长鑫存储最早将于今年第三季度发布DDR4产品退市通知。市场反应已现端倪：由于供应短缺，部分8GB容量DDR4芯片价格暴涨150%。
虽然全球存储市场正整体向DDR5转型，但部分DDR4产线仍将保留。《电子时报》亚洲版指出，长鑫存储将继续为兆易创新（GigaDevice）供应消费级DDR4内存，而三星和海力士将维持基于1z纳米制程的DDR4生产——该工艺无需使用更适合先进制程的极紫外光刻（EUV）设备。
值得注意的是，尽管长鑫存储在DDR4领域取得突破，其DDR5产品仍面临技术挑战。测试报告显示，部分最新样品在60摄氏度以上会出现稳定性问题，较三星芯片85摄氏度的耐受上限存在明显差距。此外，其DDR5内存的低温性能也有待验证，不过这对多数用户影响有限。
