全球领先的存储器制造商SK海力士(SK hynix)今日宣布，已基于其321层4D NAND闪存技术开发出UFS 4.1存储解决方案。这款超高密度NAND芯片将支持512GB和1TB容量版本，预计2026年第一季度登陆智能手机市场。值得注意的是，新型芯片厚度较前代缩减15%，同时以低功耗实现了“业界顶尖的连续读取性能”。该公司表示，同款321层4D NAND闪存芯片年内还将应用于PC固态硬盘。
让我们深入解析SK海力士宣称的新款UFS 4.1芯片优势。这家韩国存储巨头表示，其传输速度最高可达4300MB/s——从PC爱好者视角看，这甚至超越了顶级PCIe NVMe Gen3固态硬盘的表现。不过相较于该公司现有基于238层4D NAND的UFS 4.1方案，速度并未提升。
UFS(通用闪存存储)主要面向智能手机存储需求，同时也广泛应用于平板电脑、数码影像、汽车电子、可穿戴设备及VR装置等领域。相比eMMC标准，UFS具有显著更先进的架构与带宽优势，因此成为旗舰设备的首选方案。
更令人振奋的是，SK海力士表示新款UFS 4.1芯片不仅保持“第四代UFS中最快的顺序读取速度”，还通过提升随机读写速度实现“业界最佳性能表现”。其中随机读写速度分别提升15%和40%，这对流畅的多任务处理至关重要。
在能效方面，SK海力士宣称较前代UFS 4.1芯片(如华硕最新ROG手机搭载版本)功耗降低7%。转向321层4D NAND闪存还使芯片厚度从1.00mm降至0.85mm，这对移动设备制造商无疑是利好消息。
SK海力士于2024年11月率先实现321层NAND闪存量产。从研发到UFS 4.1方案落地耗时近两年，而采用该技术的PC固态硬盘预计要到2026年才能面世。目前竞争对手三星(Samsung)正以400层NAND技术紧追不舍，美光(Micron)、铠侠(Kioxia)和长江存储(YMTC)等厂商则相对落后。
在人工智能热潮方面，SK海力士特别强调新款UFS 4.1方案“针对设备端AI进行优化”，并巩固其“全栈式AI存储器供应商”的领先地位。据称，该技术能“确保设备端AI稳定运行”，为终端产品赋予“AI技术优势”。
值得注意的是，321层4D NAND闪存不仅限于移动设备。SK海力士总裁兼首席开发官安炫(Ahn Hyun)表示，面向消费级和数据中心的企业级SSD都将在年内完成开发：“我们正通过构建具有AI技术优势的产品组合，巩固在NAND领域全栈AI存储器供应商的地位”。预计这些SSD将以SK海力士自有品牌面市，同时也会出现在威刚(Adata)、金士顿(Kingston)和Solidigm等合作伙伴的产品中。
