首款2纳米芯片预计明年才会面世，而联发科（MediaTek）据传仍将采用台积电（TSMC）第三代的3纳米制程工艺打造今年稍晚发布的旗舰芯片天玑9500。不过这家中国台湾无厂半导体公司通过宣布将于2025年第四季度启动2纳米芯片流片计划，明确释放出持续冲击全球芯片供应商龙头地位的信号。
值得注意的是，该公司计划直至2026年末才会推出基于该尖端制程的首款产品。值得庆幸的是，选择在第四季度启动流片意味着联发科将拥有更充裕的时间进行微调，同时也能为众多客户备足产能。
三星宣布将于2025年第二季度“稳定”其2纳米GAA制程生产，并表示下半年将启动全面量产以争取大额订单。联发科暂定型号天玑9600的能效将比前代产品提升高达25%。
联发科2纳米芯片流片流程将于9月启动。对于不熟悉该术语的读者，流片是芯片设计的最终阶段，完成后将送至台积电等代工厂启动量产。整个流程耗资数百万美元，若芯片性能未达预期，则需重新进行流片。
在发布会上，联发科高管表示2纳米芯片组流片将于9月启动。鉴于台积电已宣布自4月1日起接受下一代制程订单，提前布局显然更具优势。例如联发科可通过调整，使其未命名芯片组达到与骁龙8 Elite Gen 2相当的性能与能效表现。
据悉，相较N3节点（台积电3纳米制程），这款2纳米SoC可实现最高15%的性能提升与25%的功耗降低。但联发科未明确说明这是相对于N3E（第二代3纳米）还是N3P（第三代3纳米）制程的对比数据。另据消息，高通（Qualcomm）已宣布将于2025年9月23日举办骁龙技术峰会，届时骁龙8 Elite Gen 2将正式亮相，与即将发布的天玑9500展开正面竞争。
