上海复旦大学研究团队成功研发出超快皮秒级非易失性存储设备，为闪存性能突破树立新标杆。这种被命名为“PoX”（相变氧化物）的新型芯片可实现400皮秒的切换速度，远超此前每秒200万次操作的世界纪录。传统SRAM（静态随机存取存储器）和DRAM（动态随机存取存储器）虽然具有1-10纳秒的数据写入速度，但属于易失性存储，断电后数据即刻丢失。
采用SSD和U盘的闪存虽具备非易失性特点，但其微秒至毫秒级的操作速度难以满足现代AI系统实时处理海量数据的需求。PoX存储器凭借超低功耗与皮秒级写入速度的双重优势，有望突破当前AI硬件“数据传输能耗远高于计算能耗”的长期瓶颈。
研究团队创新性采用二维狄拉克石墨烯替代传统硅基材料，通过调控存储通道的高斯长度，成功实现“二维超注入”效应。这种设计使得电荷能以近乎无阻的状态快速涌入存储层，从根本上突破了传统存储器的速度局限。
“我们运用AI算法优化工艺测试条件，为这项创新技术的未来应用铺平了道路。”研究团队已与制造伙伴完成流片验证，目前已完成小规模全功能芯片制备，下一步将推进其在智能手机和计算机的集成应用。届时部署本地模型时，现有存储技术导致的卡顿发热等瓶颈问题将得到根本解决。
