台积电（TSMC）管理层在周四的财报电话会议上宣布，公司将把30%的N2（2纳米级）制程产能部署至美国，并计划将亚利桑那州凤凰城附近的21号晶圆厂建设成独立的先进半导体制造集群。作为全球最大芯片代工厂，台积电同时透露将加快新建21号晶圆厂模块，用于生产N3（3纳米级）、N2及A16（1.6纳米级）制程芯片。
台积电首席执行官兼董事长魏哲家（C.C. Wei）表示：“项目完成后，美国将拥有我们约30%的2纳米及更先进制程产能，形成独立的尖端半导体制造集群。这不仅有助于实现规模经济效益，更能为美国构建更完整的半导体供应链生态系统。”
为实现亚利桑那州N2与A16制程30%的产能目标，台积电将在21号晶圆厂新增两座模块。目前该公司已确认在中国台湾新竹与高雄科学园区建设至少三座支持N2及A16制程的晶圆厂模块，未来还将继续扩建。不过美国本土生产30%先进芯片的战略意义依然重大，尽管台湾仍将承担主要生产任务。
现阶段台积电亚利桑那州21号晶圆厂一号模块正加速推进N4/N5制程芯片的量产工作。具备N3制程能力的二号模块（即亚利桑那州第二座晶圆厂）已完成主体建设，设备安装进度提前，目标将量产时间从原定的2028年提早至少两个季度。
规划采用N2与A16制程的三号、四号模块预计今年下半年动工，具体取决于相关审批许可。虽然未公布明确时间表，但若设备采购顺利，预计至少一座模块将在2029年初投入运营。五号、六号模块将采用超越A16（如A14或更先进）的制程技术，其建设进度将根据客户需求动态调整。
台积电最终目标是将21号晶圆厂发展为月产能超10万片晶圆的超级制造集群。魏哲家强调：“这种集群化布局能满足智能手机、人工智能及高性能计算领域对尖端芯片的爆发式需求，巩固台积电在半导体行业的领导地位。”
