光刻设备成本激增20%-32%
阿斯麦(ASML)光刻机20%的进口关税对美国芯片商冲击最大——在先进浸没式DUV光刻机以及低数值孔径/高数值孔径EUV光刻机领域，ASML几乎没有美国竞争对手。虽然相较于中国进口设备54%的税率，20%看似温和，但针对的是单价极其昂贵的设备。
ASML用于10纳米以下制程的浸没式DUV(ArF)设备均价8250万美元（基于2024年第四季度财报），低数值孔径EUV系统约2.35亿美元（视配置而定），即将推出的高数值孔径EUV设备预计达3.8亿美元。新关税实施后，美国芯片商购买同等设备需多支付：NXT:2000i系列DUV光刻机单价升至9900万美元，NXE:3800E低数值孔径EUV系统达2.82亿美元，下一代EXE:5000系列高数值孔径EUV设备更是高达4.56亿美元。
值得注意的是，ASML不仅生产光刻机，其量检测设备也将涨价。部分在台湾组装的HMI电子束检测设备对美国买家而言价格将飙升32%。好在ASML可扩大加州圣何塞工厂的HMI设备产能。
其他欧洲设备商如ASM International（原子层沉积和外延设备制造商）和爱思强(Aixtron)（化合物半导体沉积设备商）的产品同样面临涨价。这些设备在美国也有应用（如Macom和X-Fab等公司）。
日本制造的替代困境
在清洗、镀膜、沉积和蚀刻设备领域，东京电子(Tokyo Electron)和Screen Holdings等日企产品占据重要市场份额，对美国买家而言价格将上涨24%。
本土替代可能性？
面对欧亚设备20%-32%的涨价，是否能用美国本土产品替代？ASML仅有佳能(Canon)和尼康(Nikon)两大日本竞争对手，且这两家既不生产EUV系统也没有先进DUV光刻机，因此美国晶圆厂短期内仍需承受ASML设备20%的溢价。实际成本影响取决于产品特性：光刻密集型（如DRAM、逻辑芯片）或蚀刻沉积密集型（如3D NAND）所受冲击不同。
虽然应用材料(Applied Materials)、科磊(KLA)和泛林集团(Lam Research)能提供世界级的清洗、镀膜、沉积和蚀刻设备，但若特定工艺流程已整合东京电子的专用系统，更换设备将异常复杂耗时。某些针对特殊工艺设计的专用设备更是难以替代。
总体而言，这次关税突袭严重冲击了英特尔(Intel)、台积电(TSMC)和三星晶圆厂(Samsung Foundry)等企业的千亿美元级建厂计划。影响不仅限于先进制程，格芯(GlobalFoundries)和德州仪器(Texas Instruments)等采用成熟/特殊工艺的企业同样面临设备成本上涨。最终，这些新增成本都将转嫁至美国本土芯片的售价中。
