SK海力士（SK Hynix）宣布将在台积电（TSMC）北美技术研讨会上公开展示其HBM4技术方案，并同步推出多款存储产品。
SK海力士HBM4技术实现16层堆叠 计划2025年下半年量产
当前HBM存储器制造商中，SK海力士处于绝对领先地位。该公司已完成商用版本工艺开发，而美光（Micron）与三星（Samsung）等竞争对手仍处于样品阶段。通过现场展示的多款新产品，SK海力士进一步巩固了其在“AI内存”领域的主导地位。
SK海力士首度公开的HBM4工艺技术参数显示：其容量最高可达48GB，带宽达2.0TB/s，I/O速度突破8.0Gbps。该技术计划于2025年下半年启动量产，意味着相关产品最快可在今年年底完成集成，进展速度之快令人瞩目。值得注意的是，这家韩国企业是目前全球唯一公开展示HBM4技术的厂商。
同步亮相的全球首款16层堆叠HBM3E带宽达到1.2TB/s，将被集成至英伟达（NVIDIA）的GB300“Blackwell Ultra”AI计算集群。而英伟达计划在Vera Rubin架构中过渡至HBM4。通过采用创新的MR-MUF和TSV技术，SK海力士已实现多层堆叠领域的重大突破。
在服务器内存领域，SK海力士展出的RDIMM和MRDIMM产品线同样引人注目。基于新一代1c DRAM标准打造的服务器模组，速度已突破12,500MB/s大关。其中MRDIMM系列提供12.8Gbps传输速度，支持64GB/96GB/256GB容量；RDIMM模组则具备8Gbps速度，包含64GB/96GB规格；另有256GB容量的3DS RDIMM模组专为高性能计算设计。
通过持续技术创新以及与英伟达等企业的深度合作，SK海力士已在HBM和DRAM市场建立起显著优势。其产品在提升AI运算效率与数据中心性能的同时，更实现了功耗优化的双重突破，展现出强大的技术领导力。
