SK海力士（SK hynix）在其1c DRAM模块的良品率方面取得重大突破，进一步巩固了这家韩国企业在半导体行业的领先地位。随着HBM（高带宽存储器）技术竞争进入关键阶段，SK海力士凭借技术创新已明显拉开与竞争对手的差距。行业观察指出，即将推出的HBM4内存模块可能引发计算领域的革新浪潮。据《韩国日报》（Hankooki）披露，该公司1c DRAM良品率大幅提升至80%-90%，较2024年下半年的60%实现跨越式增长。
值得注意的是，基于10纳米工艺的第六代DRAM技术突破，使得SK海力士在消费级内存和HBM领域同时获得竞争优势。不过消息人士透露，由于公司当前主要资源集中于HBM4研发，采用1c技术的DDR5内存产品短期内不会投放市场。这项创新技术将率先应用于HBM4系列产品，特别是更先进的HBM4E版本。
目前SK海力士已确立对三星的技术优势，成为业界首个具备HBM4量产能力的企业。尽管三星长期致力于1c DRAM模块开发，但据内部人士透露，该公司仍在为提升良品率进行技术调整，进展显著落后于SK海力士。行业分析师预测，这种技术代差在未来两年内可能持续扩大。
值得关注的是，内存市场近期出现价格波动趋势。据行业报告显示，DDR5内存预计将迎来显著价格上涨，而三星已率先宣布全面上调DRAM和NAND闪存产品报价。这种市场变动或将加速行业技术迭代进程，推动头部企业进一步扩大市场份额。
