三星在2纳米GAA工艺研发进展顺利的同时，正试图通过自主开发的1纳米工艺突破芯片制程的技术极限。最新报道显示，该公司已组建专项团队推进该项目。不过这项光刻技术的实际应用尚需时日，因为大规模量产的目标定于2029年才能实现。
1纳米晶圆的研发需配备“高数值孔径极紫外光刻设备”，但目前尚未确认三星是否已采购相关设备。台积电（TSMC）同样在推进2纳米以下制程研发，这家台湾半导体巨头据传已于四月初开始接受2纳米晶圆订单。而三星在2纳米GAA技术的试产阶段良品率为30%，虽然较3纳米GAA工艺有所提升，但仍存在显著进步空间。值得注意的是，台积电据传已启动1.4纳米节点研发，这使得三星的1纳米突破更具战略意义。
据韩国媒体《Sedaily》援引爆料人@Jukanlosreve的消息，三星将1纳米工艺内部命名为“梦幻半导体制程”。为实现这一目标，必须配置高数值孔径极紫外光刻设备——这正是三星目前尚未攻克的关键环节。报道还透露，部分参与该尖端工艺研发的科研人员已被抽调组建核心团队。
值得玩味的是，此前传闻三星已取消1.4纳米工艺研发，可能是为集中资源攻关2纳米技术，但具体决策原因尚未明确。即便三星成功研制首颗1纳米晶圆，距离2029年量产目标仍有四年缓冲期。在此期间，这家韩国科技巨头可能将面临诸多生产挑战，其技术进展值得持续关注。
