此前有报道称，高通已将全部骁龙8 Elite Gen 2芯片订单交由台积电（TSMC）代工，这款即将面世的旗舰处理器将采用半导体巨头第三代3纳米制程工艺。另有消息指出，三星（Samsung）在前期竞标中失利。不过最新报道为这家韩国晶圆厂带来一线曙光——三星正就采用2纳米工艺为Galaxy系列量产骁龙8 Elite Gen 2展开谈判，但需克服良品率等多项挑战，尤其当前台积电已取得显著技术领先优势。
据韩媒《Sedaily》披露，面向Galaxy定制的骁龙8 Elite Gen 2芯片设计工作预计今年第二季度完成，2026年第一季度启动量产准备。爆料人@Jukanlosreve透露，三星或在其最先进的华城S3工厂启动小规模试产，月产能约1000片12英寸晶圆。此前三星在试产Exynos 2600时的2纳米良品率约为30%，虽仍未达理想水平，但相比问题频出的3纳米GAA工艺已有显著进步。
数据显示，三星当前2纳米GAA技术月产能达7000片晶圆，但华城S3工厂仅贡献其中15%产能。报道称双方正就明年旗舰机型搭载Galaxy定制版骁龙8 Elite Gen 2进行磋商，但未透露谈判进展。高通（Qualcomm）曾多次尝试采用双代工策略以降低成本，均因三星良品率问题未能实现。随着台积电已开放2纳米订单接收，三星正面临严峻的时间压力。高通发言人表示无法证实任何客户订单细节，事件后续发展仍有待观察。
