此前有传闻称高通将在骁龙8 Elite Gen 2（Snapdragon 8 Elite Gen 2）上沿用与骁龙8 Elite（Snapdragon 8 Elite）相同的CPU集群架构，但最新消息显示这款即将面世的SoC将采用台积电（TSMC）第三代3纳米制程工艺，并伴随多项升级。据最新爆料，这些升级包括更大容量的缓存、对下一代内存标准LPDDR6的支持以及其他改进，下面让我们深入了解具体细节。
据悉骁龙8 Elite Gen 2每个CPU集群将配备16MB缓存，初期测试阶段性能提升幅度据传达到30%。微博数码闲聊站（Digital Chat Station）透露，相较于骁龙8 Elite每个集群12MB二级缓存（总容量24MB）的配置，新一代芯片将提升至16MB。虽然机器翻译可能存在歧义，但爆料未明确说明缓存容量增加是针对二级缓存还是三级缓存。我们推测新款SoC可能配备总计32MB二级缓存，三级缓存容量目前尚不明确。初期测试结果显示骁龙8 Elite Gen 2性能提升达30%，但尚无法确认这是相较于骁龙8 Elite还是其他芯片的对比数据。
值得注意的是，在首批曝光的安兔兔（AnTuTu）跑分中，骁龙8 Elite Gen 2综合得分比排行榜中最强骁龙8 Elite机型高出40.7%。除制程工艺升级外，这一飞跃性提升可能源于高通改良版“飞马”（Pegasus）核心的应用——测试显示该核心运行频率可达5.00GHz。
此外，新一代芯片极有可能支持ARM可扩展矩阵扩展（SME）技术，预计可使多核工作负载性能提升20%，甚至有望超越苹果M4芯片。爆料还提及该平台将兼容新一代内存标准，不过消息人士强调骁龙8 Elite Gen 2仍会向下兼容LPDDR5X，这意味着手机制造商可自主选择搭载更高效的高速内存或维持成本更优的方案。
需要特别说明的是，目前所有信息均属传闻，读者应保持审慎态度。我们相信数码闲聊站将在未来数周披露更多关键信息，敬请持续关注。
