英飞凌（Infineon）与奇梦达（Qimonda）在德国研发生产动态随机存取存储器的时代已成历史——在欧洲制造通用存储器利润空间早已所剩无几。但如今铁电存储器公司（Ferroelectric Memory Co.，简称FMC）携手纽蒙达（Neumonda），正致力于在德国重建名为“DRAM+”的新型存储器生产线。不同的是，这次投产的将是面向特定应用场景的非易失性铁电存储器（FeRAM）。
FMC专精于采用氧化铪（HfO₂）铁电材料开发DRAM+技术，这种存储器能在断电后依然保持数据。该技术用非易失性结构替代了传统DRAM中的电容器，在保持高性能的同时兼具节能与数据持久保存特性。FMC认为其产品可广泛应用于人工智能、汽车电子、消费电子、工业及医疗领域。
早期铁电存储器技术（通常采用锆钛酸铅PZT作为铁电层）存在容量局限，商用产品容量普遍停留在4MB或8MB级别。PZT材料难以随制程微缩而优化，与标准CMOS工艺整合成本高昂，导致其1T1C（单晶体管单电容器）单元结构比DRAM或NAND占用更多空间。
氧化铪材料的应用带来了革命性突破。这种材料不仅与CMOS工艺兼容，还可支持10纳米以下制程，并能无缝整合到现有半导体制造流程中。由此实现的存储密度和性能可达到千兆比特至千兆字节级别，更接近传统DRAM水准。
“FMC成立的初衷就是开发基于氧化铪铁电效应的颠覆性半导体存储器技术。”FMC首席执行官托马斯·吕克斯（Thomas Rueckes）解释道，“应用于DRAM时，它能将DRAM电容器转变为低功耗非易失性存储器件，同时保持DRAM的高性能，打造出最适合人工智能计算的革命性非易失DRAM存储器。由于我们技术的市场独特性，存储器产品的成本效益测试至关重要。纽蒙达凭借其突破性测试方案，将成为加速产品开发的理想合作伙伴。更令人振奋的是，我们与纽蒙达怀有相同的愿景——让存储器制造重回欧洲。”
纽蒙达将通过技术咨询及开放Rhinoe、Octopus和Raptor先进测试系统为FMC提供支持。这些平台专为低成本、高能效的独立存储器测试设计，其提供的精细化分析能力远超传统设备，且运营成本显著降低。
两家企业的合作不仅推动着新型存储产品的研发，更为欧洲半导体能力的全面复兴奠定基础。他们正合力重建本土高端存储器设计与测试的产业生态。
“随着测试平台日趋成熟，FMC产品正是验证Rhinoe、Octopus和Raptor测试系统性能及优质产出的绝佳试验场。”纽蒙达首席执行官彼得·波赫穆勒（Peter Poechmueller）表示，“我创立纽蒙达的个人目标之一就是让半导体存储器产业回归欧洲。此次合作让我们向建立德国新存储器制造商的目标迈出了关键一步。”
