日本政府支持的芯片制造商Rapidus已启动设备调试工作，计划在本月下旬开始试产晶圆。据彭博社报道，这家致力于2027年实现2纳米制程量产的企业，预计将在7月前完成首批测试晶圆的制造。完成试产后，公司将向早期客户提供工艺设计套件（PDK），便于客户进行原型验证。
去年年底，Rapidus便在北海道千岁市的创新制造集成中心（IIM）着手部署半导体生产设备，包括阿斯麦（ASML）的极紫外（EUV）和深紫外（DUV）光刻系统。目前该公司可能已通过先进设备完成晶圆制造的“首次曝光”关键节点，业界推测其即将开展基于全环绕栅极晶体管技术的2纳米制程自主芯片试产。
相较于台积电（TSMC）、三星代工（Samsung Foundry）和英特尔代工（Intel Foundry）等传统厂商，Rapidus的核心竞争力在于其独特的全自动先进封装能力——这项技术能够在同一工厂内完成晶圆加工与封装集成，开创了全球行业先例。对于需要先进封装的设计方案，该技术可显著缩短生产周期。不过现阶段Rapidus仅开放晶圆试产服务，测试封装业务尚未对外开放。
在毗邻IIM设施的精工爱普生千岁工厂内，Rapidus正在筹建名为“Rapidus小芯片解决方案”（RCS）的新型研发中心。自2024年10月启动筹备以来，该中心本月起将重点部署后道制程设备，搭建用于开发可扩展制造技术的试验线。RCS主要聚焦四大研究方向：优化重分布层（RDL）中介层结构、创新三维封装方法、开发复杂后端操作的组装设计套件（ADK），以及完善已知合格芯片（KGD）的测试流程。
Rapidus代表董事兼首席执行官小池淳义博士表示：“IIM制造设施建设进展符合预期，截至上财年末已完成试产所需的半导体设备安装。随着新能源产业技术综合开发机构（NEDO）的项目计划及预算获得批准，我们将于四月正式启动试验产线，为2027年实现量产目标奠定重要基础。”
