日本新兴半导体企业Rapidus（拉皮杜斯）正计划在未来几年大幅扩展其2纳米制程业务，该公司凭借创新技术已获得多家科技巨头的关注。其独特的2纳米工艺结合了背面供电网络(BSPDN)与全环绕栅极(GAA)技术，成为全球首个实现该技术组合的解决方案。
目前全球半导体供应链仍由台积电（TSMC）主导，尽管英特尔（Intel）和三星晶圆代工（Samsung Foundry）持续争夺市场份额，但技术差距仍未明显缩小。不过《电子时报》（DigiTimes）报道指出，这家日本晶圆厂企业已在北海道建立专属生产基地，正式加入尖端制程的竞争行列。
据悉Rapidus已收到多家企业的合作意向，但为维持生产稳定性，公司计划仅与少数合作伙伴建立“长期”绑定关系。值得注意的是，其2纳米技术源于IBM（国际商业机器公司）授权，虽对技术突破持乐观态度，但目前仍受制于研发阶段的良率问题。此外，新购入的阿斯麦（ASML）极紫外光刻(EUV)设备也面临操作经验不足的挑战。
《日经亚洲》（Nikkei Asia）最新消息显示，Rapidus正与苹果（Apple）、谷歌（Google）等科技公司接洽，试图为其量产2纳米芯片。尽管行业普遍认为该公司技术进度落后台积电约两年，但Rapidus宣称其解决方案具备“更高效率”，该优势尚待实际验证。目前试产工作已在本月启动，首批原型芯片预计五月中旬完成流片。
Rapidus的技术亮点在于同时整合了背面供电网络(BSPDN)与全环绕栅极(GAA)两大尖端技术。目前全球仅英特尔在其18A工艺中成功应用BSPDN技术，若日本企业能突破良率瓶颈，或将开辟差异化的技术路线。
