英特尔传奇首席技术官兼首席执行官帕特·基辛格（Pat Gelsinger）近期宣布加入初创企业xLight担任执行董事长。该公司致力于开发基于自由电子激光技术（FEL）的极紫外光刻系统光源，并宣称其技术可在2028年前实现商业化，同时保持与现有设备的兼容性。
基辛格在领英发文表示：“作为加入Playground Global新职务的一部分，我将以董事会执行主席身份与尼古拉斯·凯莱兹（Nicholas Kelez）团队紧密合作，借助粒子加速器技术打造全球最强自由电子激光系统。”
在半导体制造领域，极紫外光刻（EUV）采用13.5纳米波长的光源进行精密电路刻制——高数值孔径EUV分辨率可达8纳米，低数值孔径EUV约为13纳米。目前全球仅阿斯麦（ASML）能制造采用复杂13.5纳米光源的EUV光刻系统。xLight提出的粒子加速器驱动激光等离子体（LPP）光源技术，正试图突破现有技术格局。
据透露，xLight研发的LPP光源功率达到当前最先进系统的四倍。阿斯麦最新机型NXE:3800E配备约300瓦光源，而xLight宣称其现有LPP光源功率已超1000瓦，预计2028年可投入商用。相比之下，阿斯麦计划逐步将光源功率提升至600瓦，其1000瓦技术路线仍处于规划阶段。
基辛格指出，xLight技术能使单晶圆成本降低约50%，同时缩减三分之二的资本支出与运营成本。目前阿斯麦NXE:3800E整机售价约17.3-18亿元人民币（约合2.4-2.5亿美元），若新型光源实现三倍成本优化，基于自由电子激光的光刻设备总成本或将显著低于现行机型。
值得注意的是，xLight并非意图取代阿斯麦设备，而是计划推出可兼容现有扫描仪的LPP光源。虽然理论上可适配下一代高数值孔径设备，但其与现行低数值孔径机型的整合能力仍需实践检验。由于低数值孔径EUV系统的光源位于设备下方，而高数值孔径机型光源与设备处于同一平面，粒子加速器的体积限制可能使该技术更适用于新一代晶圆厂。
除半导体制造外，xLight技术还瞄准多元化应用场景。其自由电子激光系统适用于高功率计量检测设备，并可能拓展至国家安全与生物技术领域——涵盖定点防御、太空碎片管控、医学成像及科学研究等方向。该公司认为这项技术不仅蕴含长期商业价值，更具备开拓多领域市场的短期潜力。
