英伟达Blackwell架构RTX 50系列显卡的供电系统正面临严峻散热挑战。伊戈尔实验室（Igor's Lab）最新研究显示，包括主流定位的RTX 5060 Ti在内，该系列显卡供电模块存在普遍性过热现象，长期高负荷运行可能引发硬件故障。
供电系统设计埋下隐患
测试报告指出，显卡供电系统的场效应管（FET）、电感线圈、驱动芯片等元件布局过于紧密。这种追求紧凑化的设计虽然节省了PCB空间，却导致供电区域形成热堆积效应。在持续高负载场景下，元器件的加速老化可能使显卡使用寿命大幅缩减。
多层结构加剧散热困境
通过分析PCB构造发现，多层超薄铜质电源层的堆叠设计在电压转换器周边形成了高热密度区。消费级显卡为控制成本普遍采用常规散热方案，与服务器/工业级产品使用的强化散热设计形成鲜明对比。厂商在空间利用与散热效能之间的取舍，正成为制约显卡耐久性的关键因素。
设计指南脱离实际工况
研究团队特别指出英伟达《散热设计指南》的参数设定缺陷。这份供合作厂商参考的技术文档中，多数测试数据基于理想环境得出，未能充分考虑极端工况下的真实散热需求。值得注意的是，类似问题在RTX 40系列的指导文件中已有显现。
实测数据敲响警钟
热成像仪捕捉到的温度分布图显示：影驰（PNY）RTX 5070与同德（Palit）RTX 5080 Gaming Pro OC的供电区域均存在异常高温。其中RTX 5080的NVVDD供电区温度达80.5℃（GPU核心70℃），而PCB缩短的RTX 5070同区域温度更飙升至107.3℃（GPU核心69.7℃）。电流密度增加带来的发热量激增，使问题进一步恶化。
改进方案验证可行性
测试人员通过加装导热腻子的改造实验证实：当RTX 5080供电模块与金属背板间建立有效导热通道后，供电温度成功降至70.3℃。RTX 5070在相同改造下，供电温度也从107.3℃降至95℃以下。这些数据为优化散热设计提供了明确方向。
研究表明，供电模块长期处于80℃以上工作环境时，可能引发不可逆的电迁移效应与材料性能退化。这些发现不仅解释了早期失效案例的成因，更为下一代显卡的供电系统设计提供了重要改进依据。
