华为成功通过中芯国际（SMIC）7纳米工艺为其麒麟9000S芯片实现了关键制程自主化，该芯片随Mate 60旗舰系列首发亮相。虽然业内曾传言这家国内最大的半导体企业在2024年上半年突破了5纳米工艺研发，但实际情况显示其发展遭遇了技术瓶颈——由于无法获取极紫外光刻（EUV）设备，该公司在更精密制程的晶圆量产方面进展受阻。最新报告显示，中芯国际将在2025年完成5纳米芯片的工艺开发。
采用传统深紫外光刻（DUV）设备实现5纳米工艺将面临显著挑战：据Kiwoom证券数据及爆料人@Jukanlosreve披露，虽然技术路线可行，但中芯国际的5纳米晶圆成本预计比台积电（TSMC）同工艺高出50%，良品率可能仅为台积电的三分之一（约33%）。这种成本劣势源于必须使用DUV设备进行多重曝光来替代EUV单次成像，额外工艺步骤不仅延长生产周期，更导致缺陷晶圆数量激增。
目前华为Mate 70系列搭载的麒麟9020芯片仍采用7纳米工艺量产，这侧面印证了中芯国际在5纳米节点遭遇的困境。行业观察人士指出，中国半导体产业突破困局的希望在于国产EUV设备的研发突破——与华为有关联的设备制造商SiCarrier正在开发替代阿斯麦（ASML）的解决方案，首台国产EUV设备预计将于2025年第三季度进入试产阶段。
尽管量产时间表尚不明确，但爆料显示中芯国际5纳米工艺将率先应用于华为昇腾910C人工智能芯片，该芯片旨在降低中国对英伟达（NVIDIA）的技术依赖。若国产EUV设备成功投产，中芯国际将具备向3纳米等更先进制程迈进的能力。关于5纳米工艺的具体进展，本平台将持续跟踪报道。
