中国在深紫外线（DUV）光刻设备领域的现有布局，特别是中芯国际（SMIC）等龙头企业所依赖的技术路线，使其在半导体产业竞争中面临长期挑战。由于美国通过阿斯麦（ASML）的极紫外线（EUV）设备占据技术优势，而中国又受限于出口管制无法获取先进设备，自主研制芯片制造设备已成为突破技术封锁的核心路径。近期消息显示，与华为建立深度合作的思凯瑞（SiCarrier）正全力推进EUV设备研发，试图构建本土化技术体系。
这家本土科技企业的发展已获得政策层面的实质性支持。此前公开信息表明，在华为技术团队的协作下，采用激光诱导放电等离子体（LDP）技术的定制化EUV原型机预计将于2025年第三季度启动试生产。虽然目前尚无法确认该设备与思凯瑞现有测试机型的技术关联性，但最新进展显示该公司正构建覆盖光刻机、化学气相沉积设备、物理气相沉积系统、蚀刻装置及原子层沉积设备的全产业链布局，旨在逐步替代阿斯麦等国际供应商，推动中国实现半导体制造设备的自主可控。
值得关注的是，深圳市政府已通过注资方式加速思凯瑞的技术攻关进程。据内部人士透露，其研发目标直接对标阿斯麦、应用材料（Applied Materials）及泛林集团（Lam Research）等行业领军企业，技术路线不仅聚焦单一设备突破，更着眼于建立覆盖芯片制造全流程的完整技术体系。
当前全球高端芯片制造设备市场仍由荷兰、美国和日本企业主导。思凯瑞通过与华为的战略协同，整合其快速扩张的芯片制造专业团队，试图缩短与国际先进水平的技术差距。虽然目前尚未公布首台原型机的量产计划，但中国本土最先进制程仍保持在中芯国际已实现的5纳米工艺水平。
需要指出的是，受限于现有DUV设备的生产效率，5纳米工艺尚未实现规模化量产。由于DUV设备加工周期长、良品率较低等问题，导致生产成本持续高位运行。随着思凯瑞、华为与政府力量的深度协同，中国芯片制造领域或将迎来关键性技术突破。
