俄罗斯泽列诺格勒纳米技术中心（ZNTC）与白俄罗斯Planar公司联合研制的首台350纳米级（0.35微米）工艺光刻系统已完成开发。该设备已通过官方验收程序，当前正在泽列诺格勒进行集成测试。虽然这项成果具有重要象征意义，但该系统的技术方案已落后国际领先水平数十年，且ZNTC能否实现量产仍存在不确定性。
这款耗时一年研发的光刻设备支持200毫米晶圆加工，采用固态激光光源并具备22mm×22mm（484平方毫米）的曝光区域。研发团队虽未透露激光波长与功率等核心参数，但着重指出其采用的固态激光器具备“能量聚焦更精准、使用寿命更持久”的特点。这种区别于主流厂商的技术选择不仅形成独特标识，也可能预示着俄罗斯在光刻技术领域的差异化发展策略。
从技术指标横向对比来看，国际主流方案中，ASML面向200毫米晶圆的i-line步进机采用365nm波长的汞弧灯光源，支持350-130纳米工艺节点；KrF准分子激光器（248nm波长）可支持250纳米制程，而ArF准分子激光器（193nm波长）则应用于130纳米工艺。ZNTC采用的固态激光器虽然在晶圆检测等辅助环节应用广泛，但作为主光刻光源可追溯至1990年代末的三倍频Nd:YAG激光器（波长约365nm）。
在市场适用性方面，350纳米工艺显然已不符合现代标准：该技术节点在1990年代中期曾被英特尔应用于奔腾MMX/Pro及早期奔腾II处理器，AMD则在1997年将其用于K6处理器生产。目前俄罗斯本土芯片企业Angstrem和Mikron的生产线已升级至250-90纳米区间，这使得新设备难以满足国内主要代工厂的技术需求。其商业价值可能仅限于非关键层级制造，而当前俄罗斯厂商仍依赖通过特殊渠道获取的ASML PAS 5500系列光刻设备。
在应用场景层面，该设备或许能在特定领域发挥作用：包括仍广泛采用成熟工艺的汽车电子、电源管理芯片等领域，以及性能要求相对较低的军事应用场景。但更深远的意义在于技术积累——ZNTC已启动130纳米级光刻系统的研发计划，预计2026年完成研制。这契合俄罗斯政府制定的技术路线图：2025年末实现90纳米工艺自主化，2027年推进至28纳米节点，2030年冲击14纳米目标。但就当前实际进展而言，ZNTC等俄罗斯企业已明显滞后于既定时间表。
