紫光闪存（UNIS Flash Memory）近日发布的存储驱动器产品引发行业震动，其突破性的14900MB/s读取速度使其跻身全球性能巅峰。作为紫光股份有限公司（UNISplendour）下属的存储技术企业，此次推出的S5及S5 Ultra两款固态硬盘在多个技术维度实现了跨越式突破。
采用M.2 2280标准规格的S5系列创新性地结合了3D TLC NAND闪存芯片与PCIe 5.0 x4接口架构，在硬件层面构建起速度优势基础。为应对高速运行带来的散热挑战，工程师团队特别设计了1毫米厚度石墨烯复合散热层，不过在高强度使用场景下仍需配合辅助散热装置。该设计思路与美光T705等国际竞品形成差异化竞争，展现出中国企业在存储技术领域的独特创新路径。
基础版S5固态硬盘在无DRAM架构下，通过HMB内存缓冲与SLC缓存技术的协同优化，实现了12900MB/s写入速度的突破。这一成绩不仅超越了美光T705的12700MB/s行业标杆，更以14900MB/s的读取速度刷新了消费级存储产品的性能天花板。若第三方测试数据能够验证其实际表现，这款产品将有望创造中国存储设备在全球市场的历史性突破。
进阶版S5 Ultra的技术革新更为显著，其搭载的6纳米制程主控芯片将写入速度提升至13400MB/s，同时维持14200MB/s的读取性能。该型号通过1200TBW/2400TBW的耐久度认证，尤其适合视频渲染、三维建模等专业级应用场景。双版本产品的组合策略既覆盖主流消费市场，又满足了专业用户的严苛需求。
在存储容量配置方面，S5系列提供1TB/2TB基础版本与2TB/4TB旗舰版本组合。尽管具体定价策略和区域发售计划尚未披露，但行业观察人士普遍关注其能否实现量产供货。若产品能够如期进入全球主要市场，或将引发高端存储设备领域的竞争格局重构，为中国存储技术走向国际高端市场打开新的突破口。
