台积电最近引入了一项新的封装技术，旨在进一步提升其第一代3纳米工艺及更先进工艺芯片的性能。这项名为“小外形集成电路模塑 - 水平封装”（SoIC-MH）的技术，能够改善芯片的散热和电气性能，从而让系统级芯片（SoC）在“每瓦性能”方面表现得更加出色。
不过，尽管有消息称苹果的M5芯片已经进入大规模生产阶段，但这项新技术可能并不会应用在M5上，而是有望首次出现在M5 Pro芯片中。从3纳米“N3E”到“N3P”的技术升级中，效率提升幅度仅为5%到10%，这或许正是苹果考虑在M5 Pro上采用SoIC-MH技术的原因。
目前，尚不清楚M5和M5 Pro之间为何会存在如此大的差异。根据ETNews的报道，基础版的苹果芯片（Apple Silicon）似乎并不会与更强大的版本采用相同的封装技术。苹果在两款芯片之间引入差异的一个可能原因是成本。
然而，台积电3纳米N3E和N3P技术的效率提升幅度实在有限，这使得苹果可能不得不在M5 Pro上保持CPU和GPU核心数量不变，而仅通过略微提高时钟速度来提升性能。这种做法可能无法让M5 Pro与M4 Pro之间产生显著的性能差异，进而影响搭载该芯片的设备销量。
相比之下，台积电的SoIC-MH封装技术通过垂直堆叠芯片，增加了额外的电路层，从而实现更好的性能表现。如果M5 Pro采用这项技术，它将有望成为一款性能强劲的芯片。此外，M5 Max和M5 Ultra也可能会采用相同的封装技术，尽管目前的报道中并未明确提及这两种芯片是否会采用SoIC-MH。
总之，虽然我们期待看到这项新技术的实际应用，但鉴于目前还没有得到官方的确认，因此建议大家对这些消息保持谨慎态度。
