在上周的投资者日活动中，Sandisk公司透露了一些令人兴奋的消息，其中包括即将推出的基于UltraQLC技术的1PB（1拍字节）固态硬盘，以及备受关注的3D DRAM技术。不过，Sandisk也明确表示，3D DRAM目前还处于研发阶段，尚未准备好推向市场。
UltraQLC技术与1PB固态硬盘
我们先来聊聊UltraQLC技术。UltraQLC并不是一种单独的存储芯片，而是由Sandisk的BICS 8 QLC 3D NAND闪存、一款拥有64个NAND通道的先进专有控制器以及固件组成的混合系统。这款定制的控制器是UltraQLC的核心，它集成了特定领域的硬件加速器，能够将关键存储功能从固件中分离出来，从而降低延迟、提升带宽，并提高超大规模存储的可靠性。Sandisk表示，这种设计能够满足现代数据中心对密度、性能和能效的严格要求。
Sandisk的工程与产品管理主管Khurram Ismail表示：“UltraQLC是基于我们数十年的经验和最新技术成果定制开发的，旨在为现代数据基础设施提供支持，同时不牺牲密度、性能和能效。它围绕BICS 8 NAND技术（以及未来的NAND技术）、定制控制器和先进系统设计构建。”
目前，UltraQLC固态硬盘将利用2Tb NAND存储芯片，实现128TB的容量。虽然从技术上讲，64通道控制器可以支持更高的容量，但可能会以牺牲性能为代价。不过，Sandisk正在研发更高容量的NAND存储设备，预计在未来几年内将推出256TB、512TB，最终实现1PB的固态硬盘产品。
3D DRAM：尚未到来
在人工智能和高性能计算领域，传统的DRAM技术已经逐渐无法满足需求。Sandisk指出，随着人工智能训练对内存容量和性能的要求越来越高，传统的DRAM缩放已经难以满足需求，这就是所谓的“内存墙”问题。大型语言模型（LLMs）的规模每1-2年增长10倍，这对内存性能提出了巨大的挑战。
Sandisk的存储技术主管Alper Ilkbahar表示：“3D DRAM的研发已经进行了很长时间，但技术挑战非常艰巨，目前行业内还没有明确的实现路径。”为了解决这一问题，Sandisk提出了三种潜在的解决方案：一是继续投入更多资金用于DRAM缩放，尽管其回报正在递减；二是尝试开发3D DRAM，通过垂直堆叠的方式提升DRAM容量，但这一路径面临巨大的技术挑战；三是开发新的可扩展存储技术，例如高带宽闪存（HBF），Sandisk一直在积极研究这种技术，以突破传统DRAM缩放的局限性。
随着Sandisk和Western Digital准备分拆，这两个品牌（在技术上仍属于Western Digital Corp.）均在上周举行了投资者日活动，并透露了一些令人关注的内容。
