三星正在重新设计其第六代1c DRAM芯片，以提高产量并为即将到来的HBM4工艺赢得竞争优势。这款芯片对三星的HBM4工艺以及其存储业务的成功至关重要。据ZDNet韩国报道，三星自2024年下半年以来一直在评估其尖端DRAM工艺的设计，并且目前已对高端1c DRAM进行了重新设计。其目的是确保HBM工艺能够获得行业的广泛采用，避免像HBM3衍生产品那样在英伟达等公司集成过程中遭遇重重阻碍。
然而，三星的尖端DRAM工艺未能达到预期的产量目标，该目标据称在60%-70%之间，这也导致三星未能进入量产阶段。问题主要出在1c DRAM芯片的尺寸上。三星最初专注于缩小芯片尺寸以实现更高的生产量，但这却以牺牲工艺稳定性为代价，最终导致产量降低。
据ZDNet韩国消息，三星电子已调整1c DRAM的设计，增加芯片尺寸，并将重点放在提高产量上，目标是在今年年中实现稳定的量产。即便成本有所增加，三星也决心确保下一代存储器的稳定大规模生产。
三星的1c DRAM工艺对其HBM4产品的成败起着关键作用。目前，竞争对手如SK海力士和美光已经完善了他们的设计，三星的时间已经不多了。鉴于三星在行业中的声誉并不理想，尤其是在HBM3事件之后，确保1c DRAM工艺达到行业标准变得至关重要。
目前，三星第六代DRAM工艺的最终结果仍存在不确定性，但据称在未来几个月内可能会取得进展。这或许能让三星的HBM4工艺按计划在年底前实现量产。
