全球领先的DRAM制造商美光（Micron）、三星（Samsung）和SK海力士（SK hynix）可能在年底前停止生产DDR3和DDR4内存。据《DigiTimes》报道，这一决定主要是由于中国厂商的低价倾销以及市场需求的持续下滑。目前，DDR4内存仍被广泛应用于入门级个人电脑和消费电子产品，因此一旦这些厂商停止生产，可能会导致DDR4内存出现短缺。
中国DRAM制造商长鑫存储（Changxin Memory Technology，简称CXMT）和福建晋华在过去一段时间里大幅增加了DDR4内存的产量，并且通过降低价格来抢占市场份额。去年年底，这两家厂商的DDR4芯片价格仅为韩国竞争对手同类产品的一半。在某些情况下，中国厂商的DDR4内存IC甚至比翻新芯片还要便宜5%。这种价格战使得美光、三星和SK海力士等领先DRAM生产商在销售DDR4内存时难以获得利润，因此他们可能会逐步淘汰DDR4内存，转而专注于更有利可图的DDR5内存以及高带宽存储器（HBM）。
然而，这里有一个问题：尽管中国厂商在努力填补市场，但DDR4内存的需求依然强劲，他们可能无法完全满足市场需求。一旦美光、三星和海SK力士停止为现货市场生产DDR3和DDR4内存，根据《DigiTimes》分析师的预测，2025年中期之后可能会出现DDR4内存的供应短缺。
在这种情况下，台湾地区的生产商可能会介入，试图填补这一市场缺口。不过，南亚科技（Nanya Technology）和华邦电子（Winbond Electronics）主要生产特殊类型的DRAM，这意味着它们的产量相对较低且价格较高。此外，一些工业客户可能更倾向于使用南亚和华邦生产的特殊内存，而不是中国厂商的DRAM产品。
南亚科技预计，内存市场将在2025年初达到低谷，并在第二季度开始复苏。此次市场反弹将受到需求增长、库存管理改善以及经济刺激措施的推动。与此同时，与人工智能相关的云计算领域仍将保持强劲增长，而普通消费者需求预计只会小幅回升。
华邦电子则计划在2025年底从20纳米工艺升级到更先进的16纳米工艺，以应对旧版DDR内存需求减弱的局面。此次升级将使公司能够生产更高容量的8Gb DDR芯片，从而提升其市场竞争力。
总体来看，内存市场的格局正在发生变化，厂商们需要在市场需求、价格竞争和技术升级之间找到平衡，以应对未来的挑战。
