据最新消息，三星将在本月晚些时候发布其Galaxy S25系列手机，而且这次将推出四款机型，而非之前的三款。其中，三星首次引入了“Slim”这一新名称。在最近的一次基准测试泄露中，这款所谓的Galaxy S25 Slim被曝光，它搭载了高通最新的骁龙8 Elite芯片。虽然这款即将发布的旗舰手机采用了轻薄的设计，但其芯片的性能核心运行频率却略高于其他产品，不过其测试得分却不尽如人意。
最新的Geekbench 6测试结果显示，Galaxy S25 Slim在单核测试中表现尚可，但在多核测试中却出现了问题。该手机的型号为SM - S937U，和之前测试了12GB RAM的基础款Galaxy S25一样，它也配备了12GB的内存。骁龙8 Elite芯片中的两个性能核心运行频率为4.47GHz，效率核心为3.53GHz。从规格上来看，Galaxy S25 Slim的内部配置与其他机型无异，据悉只有高端的Galaxy S25 Ultra会配备16GB的RAM。
然而，纸面参数并非衡量性能的唯一标准。Galaxy S25 Slim在Geekbench 6的多核测试中表现不佳。在单核测试中，该手机获得了3005分，比Galaxy S25之前泄露的分数略高，但差距不大。但在多核测试中，它仅获得6945分，这一成绩着实让人担忧。
造成这一不佳成绩的可能原因是Galaxy S25 Slim轻薄的机身设计，这使得像骁龙8 Elite这样的芯片在短时间内就会迅速发热。
不过，Geekbench 6测试并不能完全反映设备的持续性能，它只能在设备运行几秒钟时，对硬件性能有一个大致的了解。当然，我们之前的分析也可能是错误的，也许真的是纤薄的机身导致了Galaxy S25 Slim性能上的差异。
