随着芯片代工市场竞争的加剧，各大厂商纷纷调整策略。台积电上周宣布，为了在明年大规模生产2纳米级芯片，今年将大幅增加资本支出。与此同时，英特尔也计划扩大产能，不过其资本支出的增幅相对较小。然而，三星却反其道而行之，据TrendForce援引《SEDaily》的报道，三星计划削减其代工部门的资本支出。
过去十年间，三星每年都在代工和存储芯片产能上投入巨额资金。但据《SEDaily》报道，2024年，三星代工部门的资本支出将从上一年的10万亿韩元（约合70亿美元）削减至5万亿韩元（约合35亿美元），降幅超过一半。这一决策背后的原因主要是客户需求减少以及公司提升效率的需求。三星在吸引大客户方面遇到了困难，主要原因是先进制造工艺的延迟和低于预期的良品率。据报道，三星平泽工厂4-7纳米级生产线的利用率下降了超过30%，尽管具体时间跨度未被明确提及。
三星代工2025年的投资将重点放在华城S3和平泽P2生产设施上。在S3，部分3纳米生产线将升级为2纳米，但这更多是小规模改造而非大规模新投资。因为三星的SF3P工艺技术被重新命名为SF2，后者几乎不需要大量新设备用于大规模生产。
与此同时，P2将在2025年底安装一条1.4纳米的测试线，每月产能为2000-3000片晶圆。此外，三星还计划对美国泰勒工厂的现有设备进行升级，并支持相关基础设施建设。总体而言，三星的计划是升级现有工厂，而不是扩大产能。
相比之下，台积电的计划则更为激进。上周，台积电宣布其资本支出将从2024年的297.6亿美元增加到2025年的380亿至420亿美元。其中，约70%的资金将用于先进工艺技术，10%至20%用于特殊技术，剩余的10%至20%则用于先进封装、测试、掩模制造及其他相关领域。
台积电计划在2025年下半年开始大规模生产其N2（2纳米级）芯片，并在2026年扩大生产规模。据台积电报告，目前计划中的2纳米芯片流片数量已超过N4和N3工艺在相同发展阶段的数量，因此公司需要更多2纳米级的生产能力，并正在为其工厂配备相应设备。
英特尔也在加速推进其18A制造工艺的芯片生产，并计划在2025年为下一代节点做准备，同时为英特尔代工客户提供芯片。为此，TrendForce预计英特尔的资本支出将从2024年的110亿至130亿美元增加到2025年的120亿至140亿美元。尽管这一增幅仍远低于台积电的计划投资，但如果上述报道属实，英特尔的资本支出将显著高于三星。
